表面分析サービス

ロックゲート株式会社ではルクセンブルクのCentre de Recherche Public - Gabriel Lippmann研究所の SAM(Science and Analysis of Materials)の表面分析の受託業務を開始いたしました。 この研究所ではスタティックSIMSからダイナミックSIMSまで計5機種のSIMSを保有しております。

分析目的にマッチした機種をご利用いただけます。特に50nm径のセシウム一次イオンでイメージングSIMS分析と極微小領域の 同位体比分析が行えるNanoSIMS 50と250eVの低エネルギーで一次イオンを照射し高質量分解能モードで薄膜の分析ができる SC Ultraの2機種は世界中でSAMだけが提供できる分析サービスです。

分析サービス

NanoSIMS 50

• セシウム一次オンビーム径：最小50nm
• 酸素一イオンビーム径：最小250nm
• 高空間分解能5元素同時イメージング分析
• 極微小領域の同位体比分析

SC Ultra

• 低エネルギー酸素、セシウム一次イオン(250eV)
• 高質量分解能
• 高深さ分解能薄膜分析

IMS LAM

• 酸素、セシウムによる高感度深さ方向分析

CMS

• MCs_x⁺による半定量分析

TOF SIMS

• 極表面の有機、無機成分分析

その他の分析

• AES/XPS分析(ThermoVG Microlab350)
• TEM分析(LEO922 OMEGA 200KV)
• SEM分析(Leica Stereoscan430i(LEO))
• SPM分析(Molecular Imaging PicoSPM LE)

などお受けいたします。

Cameca NanoSIMS 50

極微量の元素分析と微小領域の同位体分析用として開発された二次イオン質量分析計NanoSIMS 50は次の特徴を持っています:

• 高い感度を保ちつつ非常に小さな領域のSIMS分析を行います
• 同時に５種類の質量を測定することで真の同一領域の同位体比測定を行います

空間分解能 (X,Y)	50 nm (Cs一次イオン)
	250 nm (酸素一次イオン)
検出限界	ppm to 100 %
測定元素	H to U
用途	イメージング
	深さ方向分析 (微小領域)

特徴

• 解像度50nmでの元素及び同位体マッピング
• 高い検出限界
• 高質量分解能と高透過率
• ５元素同時分析

アプリケーション

デバイス

表面弾性波センサーのイオン像とラインスキャンデータ、測定領域10X10 μm²

半導体

半導体デバイスの３次元元素分布：³⁰Si,¹¹B ²⁸Si.
測定領域 :XY(20 x 20) μm²

極微量元素の検出とドーパントの定量 :

• 深さ方向分析
• 断面画像解析

生体試料

人の毛髪の同位体ラベル(D)の取り込み: 測定領域: XY(80 x 80) μm²

様々な分野における極微量元素・同位体イメージング :

• 化粧品
• 医療
• 製薬
• 環境

無機材料

Ti(C,N)サーメット： 測定領域 : (3 x 3) μm²

極微量元素と同位体分析:

• セラミックス
• 合金
• ガラス
• 複合材
• ナノチューブ

高分子

PMMAとポリスチレン混合物. ¹⁶O(PMMA)の３次元元素分布。
測定領域 : (20 x 20) μm²

極微量元素、添加物の検出:

• タイヤ
• コーティング
• 複合材料

ダウンロード

• NANOSIMS 50カタログ

Cameca SC Ultra

Cameca SC Ultraは高深さ分解能を持った深さ方向分析用SIMSです。イオン種入射角など高度に制御された環境下で極低エネルギーにてスパッター を行い非常に浅い部分の深さ方向分析を高精度に行うことができます。マトリックス効果による定量性の低下を防ぐため中性セシウムガンを装備しております。

深さ方向分解能	1 nm
感度	ppb to 100 %
測定元素	H to U
主な用途	深さ方向分析
検出限界の向上	中性セシウム堆積

特徴

• 高深さ方向分解能による元素・同位体プロファイル
• 250eVの低照射エネルギー
• 超高感度
• 表面荒れの防止 (酸素フラッド, 試料回転)
• 中性セシウムによる高感度化

アプリケーション

薄膜

TiO/SiO/SiO₂の深さ方向分析, 照射エネルギー2keV及び試料回転による

半導体

極浅領域の深さ方向分析

ヒ素のイオン注入プロファイル、Cs+、500eV照射エネルギー

リンのイオン注入プロファイル、Cs+、2keV照射エネルギー

III-V化合物分析

高深さ方向分解能による極微量元素の検出とドーパントの定量化。

元素	一次イオン	検出限界 (at /cm3)	照射エネルギー(keV)
B	O2+	5.1015	0.5
B	O2+	5.1013	10
As	Cs+	2.1015	0.5
As	Cs+	5.1013	13
P	Cs+	3.1015	2
P	Cs+	5.1014	13

Siマトリックス中の各種元素の検出限界の例：

無機材料

Te/Bi/SeとTe/Biの多層膜

多層膜分析例

• セラミックス
• 合金
• ガラス
• 複合材

高分子

高分子層中の金属アルミニウムの熱処理による拡散

高分子の分析例

• コーティング
• 多層膜

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• SC Ultraカタログ